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IDWD120E65E7XKSA1

IDWD120E65E7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IDWD120E65E7_DataSheet_v01_10_EN-3421697.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers Y
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Technische Details IDWD120E65E7XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 98 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

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IDWD120E65E7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDWD120E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a5a171a58fc Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 120 A
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