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IDWD10G120C5XKSA1

IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IDWD10G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361959.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
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Technische Details IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IDWD10G120C5XKSA1 IDWD10G120C5XKSA1 Hersteller : INFINEON 2792917.pdf Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IDWD10G120C5XKSA1 IDWD10G120C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-idwd10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IDWD10G120C5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d53cbf5486 IDWD10G120C5XKSA1 THT Schottky diodes
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IDWD10G120C5XKSA1 IDWD10G120C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDWD10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d53cbf5486 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
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