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IDW30G65C5XKSA1

IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IDW30G65C5_DS_v02_02_en-1226854.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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Technische Details IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V.

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IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
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IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 13029120628_idw30g65c5_final_datasheet.pdffolderiddb3a304314dca3890115.pdf Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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