IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 13.59 EUR |
| 30+ | 10.85 EUR |
| 120+ | 9.71 EUR |
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Technische Details IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDW20G65C5BXKSA2 nach Preis ab 7.62 EUR bis 13.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IDW20G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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IDW20G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW20G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDW20G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 130W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 46A Leakage current: 2µA Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDW20G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 130W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 46A Leakage current: 2µA Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.8V |
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