IDW10G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDW10G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote IDW10G120C5BFKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IDW10G120C5BFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode Schottky 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDW10G120C5BFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
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