IDP30E60 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3.48 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
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| 100+ | 2.52 EUR |
| 250+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 2.04 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
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Technische Details IDP30E60 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 52.3A TO220-2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 126 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 52.3A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| IDP30E60 | Hersteller : infineon |
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IDP30E60 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 600V 52.3A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 126 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 52.3A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
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