IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
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Technische Details IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDL04G65C5XUMA2 nach Preis ab 1.16 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDL04G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
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