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IDL02G65C5XUMA2

IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies

Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
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Technische Details IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.

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IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDL02G65C5_DS_v02_00_en-1131217.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
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IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 Hersteller : Infineon Technologies 42812013_12_05_idl02g65c5_final_datasheet_vs.pdffolderiddb3a30431d8a6.pdf Diode Schottky 650V 2A 4-Pin VSON EP T/R
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