IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDK08G120C5XTMA1 nach Preis ab 3.3 EUR bis 8.96 EUR
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDK08G120C5XTMA1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDK08G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
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