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IDH16G65C6XKSA1

IDH16G65C6XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IDH16G65C6_DS_v02_00_EN-1131103.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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Technische Details IDH16G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531 Description: DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
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IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531 Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 186infineon-idh16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH16G65C6XKSA1
Produktcode: 150355
Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531 Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDH16G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 97W; PG-TO220-2
Mounting: THT
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 123µA
Power dissipation: 97W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Case: PG-TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IDH16G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 97W; PG-TO220-2
Mounting: THT
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 123µA
Power dissipation: 97W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
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