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IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies
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Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
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Technische Details IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V.
Weitere Produktangebote IDH12G65C6XKSA1 nach Preis ab 4.12 EUR bis 8.47 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IDH12G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDH12G65C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDH12G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 17.1 Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH12G65C6XKSA1 Produktcode: 150354 |
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IDH12G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 81W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 81W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 92µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDH12G65C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 81W; PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 81W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 92µA |
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