IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 4.8 EUR |
50+ | 3.81 EUR |
100+ | 3.26 EUR |
500+ | 3.19 EUR |
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Technische Details IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDH10G65C5XKSA2 nach Preis ab 3.34 EUR bis 4.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 1243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |