IDH05SG60CXKSA2 Infineon Technologies
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10+ | 5 EUR |
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500+ | 3.15 EUR |
1000+ | 3.03 EUR |
2500+ | 2.92 EUR |
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Technische Details IDH05SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IDH05SG60CXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode |
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IDH05SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH05SG60CXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
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