![HUF75639P3-F102 HUF75639P3-F102](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1062/488-TO-220AB.jpg)
HUF75639P3-F102 onsemi
![huf75639g3-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 3.84 EUR |
10+ | 3.19 EUR |
100+ | 2.53 EUR |
800+ | 2.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details HUF75639P3-F102 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote HUF75639P3-F102
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75639P3-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
HUF75639P3-F102 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 56 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
HUF75639P3-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
HUF75639P3_F102 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
HUF75639P3-F102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |