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HUF75339P3 Harris Corporation
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Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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Technische Details HUF75339P3 Harris Corporation
Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote HUF75339P3 nach Preis ab 1.2 EUR bis 3.15 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75339P3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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HUF75339P3 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75339P3 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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HUF75339P3 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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HUF75339P3 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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