HT8KE6TB1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 2990 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
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Technische Details HT8KE6TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote HT8KE6TB1 nach Preis ab 1.01 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HT8KE6TB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
auf Bestellung 6969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HT8KE6TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HT8KE6TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HT8KE6TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HT8KE6TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) |
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