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HS1GFL

HS1GFL Taiwan Semiconductor

hs1afl20series_b2103.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
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Technische Details HS1GFL Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HS1GFL HS1GFL Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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HS1GFL HS1GFL Hersteller : Taiwan Semiconductor hs1afl20series_b2103.pdf Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
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HS1GFL HS1GFL Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL SERIES_B2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
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