HP8KE6TB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
MOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Technische Details HP8KE6TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote HP8KE6TB1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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HP8KE6TB1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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HP8KE6TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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| HP8KE6TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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| HP8KE6TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R |
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| HP8KE6TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R |
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