Weitere Produktangebote HGTP10N120BN
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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HGTP10N120BN | Hersteller : ON Semiconductor |
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HGTP10N120BN | Hersteller : ON Semiconductor |
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HGTP10N120BN | Hersteller : ON Semiconductor |
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HGTP10N120BN | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
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HGTP10N120BN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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