Technische Details HGTG20N60B3 N/A
Description: IGBT 600V 40A 165W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 165 W.
Weitere Produktangebote HGTG20N60B3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
HGTG20N60B3 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
![]() |
HGTG20N60B3 Produktcode: 63371 |
Hersteller : FAIR |
![]() Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 2,1 Ic 25: 40 Ic 100: 20 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
![]() |
HGTG20N60B3 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
HGTG20N60B3 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
HGTG20N60B3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |