HGTG10N120BND ON Semiconductor
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Technische Details HGTG10N120BND ON Semiconductor
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns, Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.
Weitere Produktangebote HGTG10N120BND nach Preis ab 3.02 EUR bis 6.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HGTG10N120BND | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG10N120BND | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
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HGTG10N120BND | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTG10N120BND Produktcode: 91807 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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HGTG10N120BND | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch |
Produkt ist nicht verfügbar |