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HGTG10N120BND

HGTG10N120BND ON Semiconductor

hgtg10n120bnd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details HGTG10N120BND ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns, Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.

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HGTG10N120BND HGTG10N120BND Hersteller : ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG10N120BND HGTG10N120BND Hersteller : onsemi hgtg10n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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IGBT Type: NPT
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Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
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Gate Charge: 100 nC
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Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
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