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HER301G Taiwan Semiconductor
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Technische Details HER301G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER301G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: 0, Qualifikation: 0, Durchlassspannung, max.: 0, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 0, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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HER301G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: 0 Qualifikation: 0 Durchlassspannung, max.: 0 Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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HER301G | Hersteller : Yangjie Electronic Technology |
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HER301G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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HER301G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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HER301G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
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