Technische Details GT60M303(Q) Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH |
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GT60M303(Q) | Hersteller : Toshiba | IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench |
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