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GT40WR21,Q

GT40WR21,Q Toshiba

GT40WR21_datasheet_en_20180423-1649762.pdf Hersteller: Toshiba
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A
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Technische Details GT40WR21,Q Toshiba

Description: IGBT 1350V 40A TO3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 375 W.

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GT40WR21,Q GT40WR21,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21_datasheet_en_20180423.pdf?did=13219&prodName=GT40WR21 Description: IGBT 1350V 40A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 375 W
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GT40WR21,Q GT40WR21,Q Hersteller : Toshiba 18865846988098611886584347043851gt40wr21_datasheet_en_20180423.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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