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GT30J121(Q)

GT30J121(Q) TOSHIBA

GT30J121.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details GT30J121(Q) TOSHIBA

Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns, Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 170 W.

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GT30J121(Q) GT30J121(Q) Hersteller : TOSHIBA GT30J121.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
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GT30J121(Q) GT30J121(Q) Hersteller : Toshiba GT30J121_datasheet_en_20061101-1916002.pdf IGBT Transistors 600V/30A DIS
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GT30J121(Q) GT30J121(Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16680&prodName=GT30J121 Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 170 W
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GT30J121(Q) GT30J121(Q) Hersteller : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
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GT30J121(Q) GT30J121(Q) Hersteller : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
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