GT15J341,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.29 EUR |
| 35+ | 2.04 EUR |
| 42+ | 1.72 EUR |
| 45+ | 1.62 EUR |
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Technische Details GT15J341,S4X(S TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 15A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 180ns, Turn-off time: 320ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote GT15J341,S4X(S nach Preis ab 1.62 EUR bis 2.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GT15J341,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 180ns Turn-off time: 320ns |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT15J341,S4X(S) | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT15J341,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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