GD600SGU120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 830
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 4.032
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.032
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 830
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD600SGU120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9, Dauer-Kollektorstrom: 830, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9, Verlustleistung Pd: 4.032, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.032, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Einfach, DC-Kollektorstrom: 830, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD600SGU120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GD600SGU120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 600A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD600SGU120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 600A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |