GD1200SGX170C3SN STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details GD1200SGX170C3SN STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote GD1200SGX170C3SN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GD1200SGX170C3SN | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT x2 Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Trench FS IGBT Anzahl je Verpackung: 8 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD1200SGX170C3SN | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Topology: IGBT x2 Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Pulsed collector current: 2.4kA Technology: Trench FS IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |