GD1200HFY120C3S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
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Technische Details GD1200HFY120C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 8.196kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.196kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 2.23kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote GD1200HFY120C3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GD1200HFY120C3S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Pulsed collector current: 2.4kA Collector current: 1.2kA Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C3 130mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD1200HFY120C3S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Pulsed collector current: 2.4kA Collector current: 1.2kA Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C3 130mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge |
Produkt ist nicht verfügbar |