![GD10PJY120F4S GD10PJY120F4S](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/4076240-40.jpg)
GD10PJY120F4S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 91W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 91W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
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Technische Details GD10PJY120F4S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1, Case: F4.1, Collector current: 10A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 20A, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1200V.
Weitere Produktangebote GD10PJY120F4S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GD10PJY120F4S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD10PJY120F4S IGBT modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GD10PJY120F4S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Case: F4.1 Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1200V |
Produkt ist nicht verfügbar |