Produkte > STARPOWER > GD10PJY120F1S
GD10PJY120F1S

GD10PJY120F1S STARPOWER


Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.65 V, 91 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 91W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details GD10PJY120F1S STARPOWER

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1, Case: F1.1, Collector current: 10A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 20A, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1200V.

Weitere Produktangebote GD10PJY120F1S

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
GD10PJY120F1S Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
GD10PJY120F1S Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Case: F1.1
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1200V
Produkt ist nicht verfügbar