GD100HFU120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module
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IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD100HFU120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V, Verlustleistung Pd: 1.136kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.136kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD100HFU120C2S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GD100HFU120C2S Produktcode: 73798 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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GD100HFU120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Topology: IGBT half-bridge Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GD100HFU120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Ultra Fast IGBT Topology: IGBT half-bridge Pulsed collector current: 200A Collector current: 100A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm |
Produkt ist nicht verfügbar |