GBPC5010M Taiwan Semiconductor
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 7.96 EUR |
| 10+ | 6.32 EUR |
| 100+ | 5.79 EUR |
| 200+ | 5.07 EUR |
| 500+ | 4.79 EUR |
| 1000+ | 4.1 EUR |
| 2000+ | 3.87 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GBPC5010M Taiwan Semiconductor
Description: 50A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECT, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote GBPC5010M nach Preis ab 6.33 EUR bis 7.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GBPC5010M | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: 50A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECTPackaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|