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GBL02 GeneSiC Semiconductor
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 8.48 EUR |
10+ | 7.13 EUR |
25+ | 6.64 EUR |
100+ | 5.97 EUR |
250+ | 5.56 EUR |
500+ | 5.26 EUR |
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Technische Details GBL02 GeneSiC Semiconductor
Description: 4A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTIF, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GBL02 |
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GBL02 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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GBL02 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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