FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 4300W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 4300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 900A 4300W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 4300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 260.09 EUR |
10+ | 256.31 EUR |
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Technische Details FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 4.3kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FZ900R12KE4HOSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FZ900R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 4300000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ900R12KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 4.3kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ900R12KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ900R12KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW |
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