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FS75R12W2T7B11BOMA1

FS75R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies


FS75R12W2T7_B11_v2_0_Draft.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 75A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V
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Technische Details FS75R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 75A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 75A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V.

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