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FS75R12N2T7B15BPSA2 Infineon Technologies


infineon-fs75r12n2t7_b15-datasheet-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A Tray
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Technische Details FS75R12N2T7B15BPSA2 Infineon Technologies

Description: LOW POWER ECONO, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO2B, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 14 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V.

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FS75R12N2T7B15BPSA2 FS75R12N2T7B15BPSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FS75R12N2T7_B15-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a4c9cf2e2f Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 14 µA
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