FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS25R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 45A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 205W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FS25R12W1T4BOMA1 nach Preis ab 42.43 EUR bis 68.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205W 18-Pin EASY1B-1 Tray |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205W 18-Pin EASY1B-1 Tray |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 45A 205W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 205 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 45A 205W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 205 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS25R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 205W euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B-1 Tray |
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FS25R12W1T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205W 18-Pin EASY1B-1 Tray |
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