FS150R17N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS150R17N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 150A 835W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 835 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS150R17N3E4B11BOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FS150R17N3E4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 835W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS150R17N3E4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 835W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS150R17N3E4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 150A 835W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 835 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V |
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