FS10R06VE3B2BOMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS10R06VE3B2BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 16 A, 1.55 V, 50 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 16A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 50W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FS10R06VE3B2BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 16 A, 1.55 V, 50 W, 150 °C, Module
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Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 16A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 50W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details FS10R06VE3B2BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS10R06VE3B2BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 16 A, 1.55 V, 50 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 16A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 50W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EconoPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 16A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FS10R06VE3B2BOMA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FS10R06VE3B2BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 16A 50000mW 15-Pin EASY750-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS10R06VE3B2BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 16A 50W 15-Pin EASY750-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS10R06VE3B2BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 16A 50W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 550 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS10R06VE3B2BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY |
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