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Technische Details FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.64A, Pulsed drain current: 10.4A, Power dissipation: 45W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.7Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FQU4N50TU-WS
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQU4N50TU_WS | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
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FQU4N50TU-WS | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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FQU4N50TU-WS | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQU4N50TU-WS | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
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FQU4N50TU-WS | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
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FQU4N50TU-WS | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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