FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor
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Technische Details FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.5A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 35W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQU3N50CTU | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series |
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FQU3N50CTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 35W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQU3N50CTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 35W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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