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FQPF9P25YDTU

FQPF9P25YDTU ON Semiconductor


fqpf9p25ydtu-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
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Technische Details FQPF9P25YDTU ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.

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FQPF9P25YDTU FQPF9P25YDTU Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FQPF9P25YDTU_D-2314062.pdf MOSFET QF -250V 620MOHM TO220FYD
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FQPF9P25YDTU FQPF9P25YDTU Hersteller : ON Semiconductor 3349989729720046fqpf9p25ydtu.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
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