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FQPF9P25 onsemi
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Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 419 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 2.9 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 1.92 EUR |
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Technische Details FQPF9P25 onsemi
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FQPF9P25 nach Preis ab 1.72 EUR bis 2.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQPF9P25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF9P25 | Hersteller : FSC |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF9P25 Produktcode: 51667 |
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Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF9P25 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF9P25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF9P25 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -3.9A; Idm: -24A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -3.9A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 620mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |