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FQPF8N60CFT

FQPF8N60CFT onsemi

fqpf8n60cf-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
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Technische Details FQPF8N60CFT onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V.

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FQPF8N60CFT FQPF8N60CFT Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF8N60CF_D-1809716.pdf MOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series
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FQPF8N60CFT Hersteller : Fairchaild fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
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FQPF8N60CFT FQPF8N60CFT Hersteller : ONSEMI FQPF8N60CF-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF8N60CFT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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