FQPF85N06 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FQPF85N06 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF85N06 nach Preis ab 2.55 EUR bis 11.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FQPF85N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF85N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF85N06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel QFET |
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| FQPF85N06 | Hersteller : ONSEMI |
FQPF85N06 THT N channel transistors |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF85N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF85N06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V |
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