FQPF85N06

FQPF85N06 ON Semiconductor


fqpf85n06-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF85N06 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQPF85N06 FQPF85N06 Hersteller : ONSEMI FQP85N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.5A; 62W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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23+ 3.25 EUR
29+ 2.5 EUR
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FQPF85N06 FQPF85N06 Hersteller : ONSEMI FQP85N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.5A; 62W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
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Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
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FQPF85N06 FQPF85N06 Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF85N06_D-1809690.pdf MOSFET 60V N-Channel QFET
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FQPF85N06 FQPF85N06 Hersteller : ON Semiconductor fqpf85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF85N06 FQPF85N06 Hersteller : onsemi fqpf85n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
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