FQPF5N40 ON Semiconductor
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Technische Details FQPF5N40 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.27 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQPF5N40 nach Preis ab 1.45 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FQPF5N40 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 400V N-Channel QFET |
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FQPF5N40 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.27 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQPF5N40 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5N40 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF5N40 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF5N40 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQPF5N40 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V |
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FQPF5N40 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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