FQPF3N80C onsemi / Fairchild
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Technische Details FQPF3N80C onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF3N80C nach Preis ab 1.4 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQPF3N80C | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V |
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FQPF3N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF3N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF3N80C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF3N80C Produktcode: 188274 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQPF3N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF3N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF3N80C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQPF3N80C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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