FQP9N90C ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FQP9N90C ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FQP9N90C nach Preis ab 3.02 EUR bis 6.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP9N90C Produktcode: 117719 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9N90C | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V |
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