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Technische Details FQP55N10 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQP55N10
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQP55N10 | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| FQP55N10 | Hersteller : FAIRCHILD |
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| FQP55N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP55N10 Produktcode: 88644 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQP55N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| FQP55N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP55N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; Idm: 220A; 155W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 155W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQP55N10 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V |
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FQP55N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; Idm: 220A; 155W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 155W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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